Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBCH817-40LT1G
SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEG
NSVBCH817-40LT1G Hakkında
NSVBCH817-40LT1G, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCE breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar. 250 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir amplifikasyon karakteristiği sağlar. 225mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi olan bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı analog/dijital elektronik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük ebat ve düşük güç tüketimi sayesinde taşınabilir cihazlar ve kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok