Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVBCH807-40LT1G

SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEG

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVBCH807

NSVBCH807-40LT1G Hakkında

NSVBCH807-40LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde genel amaçlı bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500mA maksimum kollektör akımı, 45V kesme gerilimi ve 100MHz geçiş frekansı ile küçük sinyal işleme, ses frekansı amplifikaşonu ve dijital devre arayüzlemesinde uygulanabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına elverişli kılar. 225mW maksimum güç dağılımı ile düşük gücü uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok