Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBCH807-25LT1G
SS SOT23 GP XSTR SPCL TR_175DEGC
NSVBCH807-25LT1G Hakkında
NSVBCH807-25LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek sıcaklık derecelendirilmiş PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 500mA maksimum collector akımı ve 225mW güç dağılımı kapasitesi ile kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 160 minimum DC current gain (hFE), darbe şekillendirme, ses amplifikasyonu ve RF uygulamalarında performans sağlar. 45V breakdown voltajı ile orta voltaj devrelerinde yer alabilir. Özel sıcaklık derecelendirilmesi, otomotiv, endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok