Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBC858CLT1G
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
NSVBC858CLT1G Hakkında
NSVBC858CLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236) surface mount paketinde sunulmaktadır. 30V maksimum Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 420 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olup, 100MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanabilir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile pil işletilen ve düşük güçlü elektronik devrelerde tercih edilmektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri çevirme ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok