Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVBC858BLT1G

TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVBC858

NSVBC858BLT1G Hakkında

NSVBC858BLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 30V maksimum Vce (Collector-Emitter) voltajı ile çalışmaktadır. 100mA maksimum kollektör akımına ve 300mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA ve 5V koşullarında minimum 220'dir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Düşük güç tüketimi nedeniyle taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok