Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBC857BLT3G
NSVBC857BL - PNP BIPOLAR TRANSIS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- NSVBC857BL
NSVBC857BLT3G Hakkında
NSVBC857BL, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile hızlı işlem yapabilen bu transistör, maksimum 100 mA collector akımı ve 45 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 225 mW güç dissipasyonuna sahip SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilir. Düşük ICBO cutoff akımı (15 nA) ile kaçak akım minimal seviyededir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel amaçlı analog ve dijital uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok