Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBC850BLT1G
NSVBC850 - NPN BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- NSVBC850
NSVBC850BLT1G Hakkında
NSVBC850, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SO-23 (TO-236-3, SC-59) yüzey montaj paketinde sağlanan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımı, 200 minimum DC akım kazancı ve 45V maksimum Vce(BR)CEO ile karakterize edilmiştir. 100MHz geçiş frekansı sayesinde moderate hız uygulamalarında tercih edilebilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile ses amplifikasyonu, LED sürücüleri, sinyal anahtarlaması ve dijital lojik arayüzü uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok