Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBC848CLT1G
TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
NSVBC848CLT1G Hakkında
NSVBC848CLT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V Vce ve 100mA kolektör akımı ile düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 200 minimum hFE değeri ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. 225mW maksimum güç dissipasyonu, 15nA kolektör cutoff akımı ve 600mV doyum voltajı ile genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Gömülü sistemler, sinyal işleme, dijital mantık arayüzleri ve küçük güç kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok