Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVBC817-16LT1G

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVBC817

NSVBC817-16LT1G Hakkında

NSVBC817-16LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum 45V collector-emitter voltajında, 500mA collector akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 225mW maksimum güç tüketimi, -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile analog ve dijital sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Düşük saturation voltajı (700mV) ve yüksek akım kazancı (hFE: minimum 100) ile verimli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok