Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC143ZDXV6T1G
TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
NSVBC143ZDXV6T1G Hakkında
NSVBC143ZDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistördür. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri (R1: 4.7kΩ, R2: 47kΩ) ile birlikte gelmektedir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 500mW güç yeteneğine sahip olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 5mA/10V koşullarında minimum 80 değerindedir. 50V maksimum Vce(BR) ile düşük voltajlı kontrol devreleri, sensör arayüzleri ve mantık seviye dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Aktif ürün statüsü ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok