Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC124EPDXV6T1G
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
NSVBC124EPDXV6T1G Hakkında
NSVBC124EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, bir NPN ve bir PNP transistörden oluşmaktadır. Her bir transistörün tabanında entegre direnç ağı bulunmaktadır (R1: 22kΩ, R2: 22kΩ). Maksimum 100mA kollektör akımı ve 339mW güç disipasyonuna sahiptir. 60 minimum DC akım kazancı (hFE), 250mV maksimum doyum gerilimi ve 50V breakdwon gerilimi özelliklerine sahiptir. Düşük kaçak akımı (500nA), hızlı anahtarlama uygulamaları, darbe şekillendirme devreleri, mantık seviyeleri arayüzü ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok