Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSVBC124EDXV6T1G Hakkında
NSVBC124EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, iki adet NPN transistörü içerisinde entegre edilmiş 22kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri ile birlikte gelir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük gücü gerektiren analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500mW güç yönetimi kapasitesi ve 60 minimum DC current gain değeri ile sinyal işleme, lojik seviye kontrol ve küçük yüklerin sürülmesi gibi uygulamalara uygun bir seçenektir. Ön beslemeli yapısı nedeniyle harici biyaslandırma dirençlerine gerek duyulmaz, bu da devre tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok