Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC123JPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSVBC123JPDXV6T1G Hakkında
NSVBC123JPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. Tek bir pakette 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör barındıran bu bileşen, 50V collector-emitter gerilimi kapasitesiyle çalışır. Maksimum 100mA collector akımı ve 500mW güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. Entegre base ve emitter base dirençleriyle (sırasıyla 2.2kΩ ve 47kΩ) hızlı devre tasarımı sağlar. SOT-563 (6-pin) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük sinyalli sinyal işlemede, lojik seviye çeviricide ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. DC akım kazancı minimum 80 (5mA, 10V koşullarında) olup, 250mV maksimum doyum gerilimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok