Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC123JDXV6T5G
SS SOT563 SRF MT RST XSTR
NSVBC123JDXV6T5G Hakkında
NSVBC123JDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, her transistör için entegre R1 (2.2kΩ) ve R2 (47kΩ) direnç ağlarına sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V Vce dağılım gerilimi ve 250mV doyma gerilimi ile çalışır. Bağımsız kontrol edilebilen iki NPN transistör içeren yapısı sayesinde darbe, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü kontrol devreleri, lojik seviyeleri ve RF ön beslemesi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok