Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC114YPDXV65G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSVBC114YPDXV65G Hakkında
NSVBC114YPDXV65G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, SOT-563 ve SOT-666 paketleriyle sunulmaktadır. Maksimum 100mA collector akımı ve 500mW güç sınırlamasına sahiptir. Dahili 10kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle ön beslemeli tasarım sayesinde basit devre uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 80'dir. Voltage breakdown değeri 50V olup, saturation voltajı 250mV @ 300µA, 10mA'dir. Ön beslemeli transistör dizileri, mantık devrelerinde sürücü, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşenin ürün durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok