Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

NSVBC114YDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
NSVBC114

NSVBC114YDXV6T1G Hakkında

NSVBC114YDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter direnç ağlarıyla donatılmıştır. 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile önceden yapılandırılmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 50V gerilim sınıflaması ve 500mW güç kapasitesine sahiptir. Vc-e doyum gerilimi 250mV'dur. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, lojik seviye dönüştürme, sürücü devreleri ve dijital sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimiyle taşınabilir cihazlar ve pil çalışan sistemlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 500mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package SOT-563
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok