Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC114EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSVBC114EPDXV6T1G Hakkında
NSVBC114EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual ön beslemeli transistör dizisidir. Tek pakette bir NPN ve bir PNP transistör içerir ve 50V maksimum kolektor-emiter gerilimi ile çalışır. 100mA maksimum kolektor akımı ve 500mW güç yeteneğine sahiptir. Dahili olarak 10kΩ baz dirençleri ve 10kΩ emiter baz dirençleri bulunur. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulur. Düşük sıcaklık katsayısına sahip olan bu kompakt çipler, akım anahtarlaması, sinyal amplifikasyonu ve lojik arabirimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Endüstriyel kontrol sistemleri, tüketici elektroniği ve taşınabilir cihazlarda tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok