Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBC114EDXV6T1G
TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
NSVBC114EDXV6T1G Hakkında
NSVBC114EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, her bir transistör kanalında entegre 10kΩ taban ve 10kΩ emiter-taban dirençleri içerir. Maksimum kolektör akımı 100mA, maksimum güç disipasyonu 500mW olan cihaz, 50V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 10V koşullarında minimum 35 olarak belirtilmiştir. Doyum durumunda (Vce) 250mV'de sabitlenir. Bu komponent ses amplifikasyonu, sinyal anahtarlaması, seviye ayarlama ve düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Aktif parça durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok