Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBA114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSVBA114YDXV6T1G Hakkında
NSVBA114YDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, her transistöre entegre edilmiş 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci içerir. Maksimum 100mA kollektör akımı, 50V Vce(BR)CBO dağılma gerilimi ve 500mW güç derecelendirmesi ile karakterizedir. DC akım kazancı (hFE) 80'dir (5mA Ic, 10V Vce'de). Vce doyum gerilimi 250mV olup (300µA Ib, 10mA Ic'de), kollektör kesme akımı maksimum 500nA'dır. Bu ön beslemeli yapı, transistörün hızlı açılıp kapanmasını sağlar. Ayarlanabilir kazanç, çıkış anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında, ayrıca kontrol devreleri ve lojik seviyeleri düzenleme işlemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok