Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVBA114EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
NSVBA114EDXV6T1G Hakkında
NSVBA114EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kırılma gerilimi ile çalışmaktadır. İntegre 10kΩ taban ve emiter-taban dirençleri sayesinde ön beslemeli tasarıma sahiptir. Maksimum 500mW güç tüketimiyle sinyal anahtarlaması, lojik seviyelendirme ve düşük akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250mV doyum gerilimi ve 35 minimum DC akım kazancı ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok