Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVB144EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSVB144EPDXV6T1G Hakkında
NSVB144EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Her transistör, 47kΩ base ve emitter-base direnç ile entegre şekilde tasarlanmıştır. Maksimum 100mA collector akımı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile kullanılır. DC current gain (hFE) değeri 5mA, 10V koşullarında minimum 80'dir. Vce saturation 250mV'dir. 500mW maksimum güç tüketim yeteneğine sahiptir. Ön beslemeli konfigürasyonu sayesinde basit switching uygulamalarında, amplifier devrelerinde ve lojik seviyeleri değiştirme işlemlerinde kullanılmaktadır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok