Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVB143TPDXV6T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
NSVB143TPDXV6T1G Hakkında
NSVB143TPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör diyzidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, SOT-563/SOT-666 surface mount paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V çökertme gerilimi ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 10V koşullarında minimum 160 değerine sahiptir. Doyum durumunda 250mV maksimum Vce ile 10mA akım seviyesinde çalışır. 4.7kΩ baz direnci ile entegre olmuş bu ön beslemeli transistörler, anahtarlama devreleri, sinyal güçlendirme, lojik seviyeleri ayarlama ve düşük güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum güç dağılımı 357mW'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 357mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok