Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV60200SMTWTBG
NSS60200S - SINGLE 60V 2A LOW VC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSV60200S
NSV60200SMTWTBG Hakkında
NSV60200SMTWTBG, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek frekanslı PNP bipolar transistördür. 60V kollektor-emiter kırılma voltajı ve 2A maksimum kollektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 155MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 1.8W maksimum güç tüketimi, 150 minimum DC akım kazancı ve düşük 450mV doyma voltajı ile verimli çalışır. 6-WDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve RF devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 155MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok