Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV60200LT1G
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
NSV60200LT1G Hakkında
NSV60200LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ve 150 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 460mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer almasını sağlar. Düşük saturasyon gerilimi (220mV) ve 100nA collector cutoff akımı ile verimli komutasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 460 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok