Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV40200UW6T1G
TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSV40200
NSV40200UW6T1G Hakkında
NSV40200UW6T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 6-WDFN yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, maksimum 40V kolektör-emitter gerilimi ve 2A kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 875mW güç tüketimi ve 140MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük 300mV doyum gerilimi, anahtarlama devrelerinde verimli işletimi sağlar. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C arasında) ve yüksek akım kazancı (150 @ 1A, 2V), genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 875 mW |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok