Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV40200UW6T1G
NSS40200U - LOW VCE TRANSISTOR,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSV40200U
NSV40200UW6T1G Hakkında
NSV40200UW6T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük VCE saturasyon voltajına sahip PNP bipolar transistördür. 2A kolektör akımı, 150 minimum DC akım kazancı ve 140MHz geçiş frekansı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 875mW maksimum güç derecelendirilmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. 300mV saturasyon voltajı düşük güç kaybı gerektiren sistemlerde tercih edilir. -55°C ile 150°C geniş sıcaklık aralığında işletme özelliği endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kolaylık sağlar. 6-WDFN yüzeye monte paket compact PCB tasarımlarına uyum gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 875 mW |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok