Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV20101JT1G
TRANS NPN 20V 1A SC89-3
NSV20101JT1G Hakkında
NSV20101JT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SC-89 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 20V kesintisiz emitter-kolektör voltajı ile çalışabilir. 350MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 220mV maksimum doyma voltajı ile, düşük güç tüketimli dijital lojik devreler, amplifikatörler, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 255mW güç seçeneği ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 350MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 255 mW |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok