Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV1C301ET4G-VF01
TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
NSV1C301ET4G-VF01 Hakkında
NSV1C301ET4G-VF01, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V collector-emitter aralığında 3A'e kadar akım taşıyabilen bu transistör, 120MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Maksimum 2.1W güç dağıtma kapasitesine sahip olan bileşen, TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulmaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olup, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 120 minimum DC current gain değeri ile güvenilir emitter kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok