Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSV1C200LT1G

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSV1C200L

NSV1C200LT1G Hakkında

NSV1C200LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistördür. 100V kolektör-emitör gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 120MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 120 minimum DC current gain (hFE) ve 250mV saturation voltajı ile başladığında şekillendirici anahtarlama devrelerinde, amplifikatör uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 490mW maksimum güç harcaması ile düşük güçlü uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 490 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok