Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV12200LT1G
NSV12200 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- NSV12200
NSV12200LT1G Hakkında
NSV12200LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük VCE(SAT) karakteristiğine sahip bir PNP tipi BJT transistördür. 2A maksimum kolektör akımı ve 250 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. 180mV maksimum doyum voltajı sayesinde düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 12V maksimum Vce duyarlılığı ile güç yönetimi, LED sürücüsü, darbe generatörü ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. SOT-23-3 paketlemesi ile SMD montajına uygun olup, 540mW maksimum güç harcayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 540 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok