Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV12100XV6T1G
NSS12100 - LOW VCE TRANSISTOR, P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- NSV12100
NSV12100XV6T1G Hakkında
NSV12100XV6T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 1A maksimum kollektör akımı ve 650mW maksimum güç kapasitesi ile orta güç seviyesi devre tasarımlarında kullanılır. 100@500mA, 2V DC akım kazancı ve 440mV maksimum doyum voltajı ile hassas amplifikasyon devreleri, ses uygulamaları, güç yönetimi ve anahtarlama kontrol sistemlerinde yer bulur. SOT-563/SOT-666 yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve düşük kollektör kesme akımı (100nA) ile kapalı durumda minimum sızıntı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 650 mW |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok