Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV12100XV6T1G
TRANS PNP 12V 1A SOT563
NSV12100XV6T1G Hakkında
NSV12100XV6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek entegrasyonlu PNP tipi bipolar bileşik transistördür (BJT). SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 1A'e kadar kolektör akımı ve maksimum 12V kolektör-emitör bozulma voltajı ile tasarlanmıştır. 650mW maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 100 minimum DC akım kazancına sahiptir. Gerilim regülatörleri, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreler ve düşük güçlü sinyal işleme uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 650 mW |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok