Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSV12100UW3TCG
LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, PNP, 12
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSV12100UW3TCG
NSV12100UW3TCG Hakkında
NSV12100UW3TCG, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük doyum gerilimi (VCE(sat)) özellikli PNP bipolar transistördür. Surface mount 3-WDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu komponent, 1A kollektor akımı ve 12V C-E breakdown gerilimi ile çalışır. 200MHz transit frekansı sayesinde orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 740mW güç tüketimi ve geniş -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığı ile güvenilir operasyon sağlar. Düşük VCE(sat) değeri (440mV @ 100mA, 1A) enerji verimliliği gerektiren anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 740 mW |
| Supplier Device Package | 3-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok