Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NST857AMX2T5G
SS SOT883 GP XSTR PNP 45V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 0402 (1006 Metric)
- Seri / Aile Numarası
- NST857
NST857AMX2T5G Hakkında
NST857AMX2T5G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 0402 (1x0.6mm) SMD pakette sunulmaktadır. 45V kollektör-emitör gerilimi ile çalışabilen bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 225mW güç tüketimine sahiptir. 100MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 2mA kolektör akımında 125 değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponentin düşük kapalı durum gerilimi (650mV @ 100mA) ile ön amplifikatör, sinyal işleme ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yer alır. SSO paket türü ile kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 0402 (1006 Metric) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | 3-X2DFN (1x0.6) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok