Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS60601MZ4T1G
TRANS NPN 60V 6A SOT-223
NSS60601MZ4T1G Hakkında
NSS60601MZ4T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 6A collector akımı ve 60V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. DC current gain değeri 1A akım ve 2V Vce koşullarında minimum 120'dir. Vce saturation voltajı 600mA-6A akım aralığında 300mV'tir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunan bu transistör, güç anahtarlama, darbe modülasyonu (PWM) kontrolleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok