Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSS60600MZ4T1G

TRANS PNP 60V 6A SOT-223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NSS60600MZ4T1G

NSS60600MZ4T1G Hakkında

NSS60600MZ4T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). SOT-223 (TO-261) paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 120 minimum DC akım kazancı (hFE @ 1A, 2V) ile güvenilir amplifikasyon sağlar. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve geniş sıcaklık ortamlarında çalışmaya uyundur. Yüksek frekans uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok