Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS60200SMTTBG
NSS60200S - SINGLE 60V 2A LOW VC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSS60200S
NSS60200SMTTBG Hakkında
NSS60200S, Rochester Electronics tarafından üretilen 60V 2A kapasiteli PNP bipolar junction transistördür. Surface mount 6-WDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu bileşen, düşük VCE saturation voltajı (450mV) ve 155MHz transition frequency ile karakterizedir. DC current gain değeri 100mA, 2V koşullarında 150'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, maksimum 1.8W güç tüketimi ile şarj pompaları, LED sürücüleri, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında tercih edilir. ICBO cutoff akımı 100nA olup, 60V breakdown voltage ile yüksek voltaj uygulamalarında güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 155MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok