Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSS60200LT1G

TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSS60200LT

NSS60200LT1G Hakkında

NSS60200LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır. 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 220mV saturasyon voltajı ve 100nA maksimum cutoff akımı ile bu transistör, tüketici elektronikleri, otoomotiv kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 460 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok