Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS40200UW6T1G
TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSS40200
NSS40200UW6T1G Hakkında
NSS40200UW6T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 875mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 150MHz transition frekansına sahiptir. DC current gain (hFE) 1A collector akımında 150 minimum değerdir. 300mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, akım amplifikasyon ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 875 mW |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok