Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS35200MR6T1G
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- NSS35200MR6T
NSS35200MR6T1G Hakkında
NSS35200MR6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar junction transistörüdür. 35V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 100 MHz transition frequency ve 100 minimum hFE kazancına sahiptir. 625mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile analog anahtarlama, amplifikasyon ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Compact paket ve düşük kesintisiz collector akımı (100nA max) sayesinde batarya beslemeli ve hassas uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok