Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS35200CF8T1G
35 V, 7 A, VCE PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Seri / Aile Numarası
- NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G Hakkında
NSS35200CF8T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipinde bipolar jonksiyon transistörüdür. 35V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 7A akım yeteneğine sahip bu transistör, güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 2A kolektör akımında 100 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Surface Mount paketlemesi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 635mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 635 mW |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok