Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSS30100LT1G

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSS30100LT1G

NSS30100LT1G Hakkında

NSS30100LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. 30V kolektör-emitter diyelectric gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 1A kolektör akımı sağlayabilir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 310mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketlemesi sayesinde kompakt elektronik devrelerde yer tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığıyla geniş uygulama yelpazesini destekler. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe şekillendirici ve düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 310 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok