Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS20501UW3TBG
TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 3-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSS20501
NSS20501UW3TBG Hakkında
NSS20501UW3TBG, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 5A kollektör akımı ve 20V kollektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 3-WDFN (2x2mm) SMD paketinde sunulur ve 875mW maksimum güç dağıtabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC current gain (hFE) 200 minimum değerdedir. Düşük Vce saturation voltajı (125mV @ 4A) sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç amplifikatörleri ve lojik seviye geçişi uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 875 mW |
| Supplier Device Package | 3-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok