Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS20201MR6T1G
TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- NSS20201MR6T1G
NSS20201MR6T1G Hakkında
NSS20201MR6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistörüdür. 20V kollektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. 200 MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarına uygun performans sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzeye monte paketinde sunulan komponent, 460mW maksimum güç dissipasyonuna ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 150mV saturasyon gerilimi, anahtarlama devrelerinde ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygun özelliklere sahip bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 460 mW |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok