Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS1C201MZ4T1G
TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
NSS1C201MZ4T1G Hakkında
NSS1C201MZ4T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mW güç derecelendirmesi ve 100MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Doyum gerilimi 180mV olup, minimum 120 DC akım kazancı ile düşük ve orta akım uygulamalarında verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok