Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS1C200MZ4T3G
LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, PNP, 10
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- NSS1C200M
NSS1C200MZ4T3G Hakkında
NSS1C200MZ4T3G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistörüdür. Düşük VCE(SAT) karakteristiğine sahip olup, 2A kolektör akımı ve 100V collector-emitter breakdown gerilimi ile tasarlanmıştır. 120MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW güç derecelendirmesi ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar. SOT-223 (TO-261) SMD paketinde sunulan bu transistör, audio amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok