Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSS1C200LT1G

TRANS PNP 100V 2A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSS1C200LT

NSS1C200LT1G Hakkında

NSS1C200LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistördür. 100V kollektör-emitter gerilim kapasitesi ve 2A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 120MHz transition frequency değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük güç tüketimi (490mW), geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 250mV doyum gerilimi özelliğiyle audio amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 120 minimum DC akım kazancı ve 100nA maksimum kesim akımı ile verimli devre tasarımına olanak sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 490 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok