Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSS12501UW3T2G
TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 3-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NSS12501
NSS12501UW3T2G Hakkında
NSS12501UW3T2G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-WDFN paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5A kolektör akımı ve 12V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. 200 minimum DC current gain (hFE) ve 120mV saturation voltajı ile verimli anahtarlama karakteristiği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 875mW güç tüketimiyle, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü driveleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 875 mW |
| Supplier Device Package | 3-WDFN (2x2) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok