Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSCT817-40LT1G

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSCT817

NSCT817-40LT1G Hakkında

NSCT817-40LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 100mA, collector-emitter kesintme gerilimi 45V ve 225mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 250 değeri ile sağlam amplifikasyon karakteristiği gösterir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans sunar. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri kontrol eden arayüz uygulamaları ve genel amaçlı küçük sinyal işleme görevlerinde kullanılır. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir. Parça kullanımdan çıkarılmış (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok