Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSCT817-25LT3G
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
NSCT817-25LT3G Hakkında
NSCT817-25LT3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hız anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 45V maksimum Vce breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile orta güç seviyesinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz transition frequency özellikleri ile yüksek frekanslı devreler, RF amplifikatörleri ve hızlı anahtarlama devreleri için tercih edilir. SOT-23 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara olanak sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında ve 225mW maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir. Kolektör kesim akımı maksimum 100nA, Vce doyum voltajı maksimum 700mV değerleriyle önceden belirlenmiş karakteristikler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok